Datasheet BUK969R3-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK969R3-100E
Купить BUK969R3-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 98 до 295 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | |||
| BUK969R3-100E.118 Nexperia | 98 ₽ | ||
| BUK969R3-100E118 NXP | 103 ₽ | ||
| BUK969R3-100E,118 NXP | 165 ₽ | ||
| BUK969R3-100E,118 Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK969R3-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 7490µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 263 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK969R3100E, BUK969R3 100E
