Datasheet BUK9E1R6-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK — Даташит

Купить BUK9E1R6-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 99 до 176 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail
ChipWorker Весь мир	BUK9E1R6-30E,127 NXP	99 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BUK9E1R6-30E.127 NXP	125 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK9E1R6-30E127 NXP	129 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK9E1R6-30E,127 NXP	176 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9E1R6-30E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1400µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-262
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 349 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK9E1R630E, BUK9E1R6 30E