Datasheet BUK9E1R6-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK9E1R6-30E
Купить BUK9E1R6-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 143 до 202 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail | |||
| BUK9E1R6-30E.127 NXP | 143 ₽ | ||
| BUK9E1R6-30E127 NXP | 148 ₽ | ||
| BUK9E1R6-30E127 NXP | 149 ₽ | ||
| BUK9E1R6-30E NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK9E1R6-30E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1400µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-262
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 349 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK9E1R630E, BUK9E1R6 30E
