Datasheet BUK9E1R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK9E1R9-40E
![]() 9 предложений от 9 поставщиков TO-262-3 Long Leads, I虏Pak, TO-262AA | |||
BUK9E1R9-40E,127 NXP | 71 ₽ | ||
BUK9E1R9-40E NXP | 200 ₽ | ||
BUK9E1R940E.127 | 6 902 ₽ | ||
BUK9E1R9-40E NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 72 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 20 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: 0°C ...
+110°C
- Рассеиваемая мощность: 182 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK9E1R940E, BUK9E1R9 40E