Datasheet FCP190N60 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 20.2 А, TO-220 — Даташит

Купить FCP190N60 на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 350 ₽ 20 предложений от 15 поставщиков , Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 20.2 A, 199mΩ, TO-220, TO-220 3L, 800-TUBE
Компонентс Ру Россия	FCP190N60 ON Semiconductor	228 ₽	Купить
Элитан Россия	FCP190N60E ON Semiconductor	350 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FCP190N60_GF102 ON Semiconductor	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	FCP190N60E Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 20.2 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET
March 2012
SuperFET® II FCP190N60 / FCPF190N60
600V N-Channel MOSFET Features
· 650V @TJ = 150°C · Max.

RDS(on) = 199m · Ultra low gate charge (typ. Qg = 57nC) · Low effective output capacitance (typ. Coss.eff = 160pF) · 100% avalanche tested

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 20.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 208 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)