Datasheet FCP190N60 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 20.2 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: FCP190N60
![]() 21 предложений от 16 поставщиков , Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 20.2 A, 199mΩ, TO-220, TO-220 3L, 800-TUBE | |||
FCP190N60-GF102 ON Semiconductor | 53 ₽ | ||
FCP190N60-GF102 ON Semiconductor | 135 ₽ | ||
FCP190N60 ON Semiconductor | 256 ₽ | ||
FCP190N60-GF102 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 20.2 А, TO-220
Краткое содержание документа:
FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET
March 2012
SuperFET® II FCP190N60 / FCPF190N60
600V N-Channel MOSFET Features
· 650V @TJ = 150°C · Max.
RDS(on) = 199m · Ultra low gate charge (typ. Qg = 57nC) · Low effective output capacitance (typ. Coss.eff = 160pF) · 100% avalanche tested
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 20.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 208 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)