Datasheet FCP190N60 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 20.2 А, TO-220 — Даташит

Купить FCP190N60 на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 10 817 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков MOSFET 600V N-Channel MOSFET SuperFET II
AliExpress Весь мир	FCP170N60 FCP190N60 FCP190N65S3 FCP190N65F FCP20N60 FCP21N60N FCP22N60N FCP220N80 FCP25N60N FCP260N60E TO-220	54 ₽	Купить
Akcel Весь мир	FCP190N60 ON Semiconductor	от 113 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FCP190N60-GF102 ON Semiconductor	154 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FCP190N60E ON Semiconductor	252 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 20.2 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET
March 2012
SuperFET® II FCP190N60 / FCPF190N60
600V N-Channel MOSFET Features
· 650V @TJ = 150°C · Max.

RDS(on) = 199m · Ultra low gate charge (typ. Qg = 57nC) · Low effective output capacitance (typ. Coss.eff = 160pF) · 100% avalanche tested

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 20.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 208 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)