Datasheet FCPF380N60E - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 10.2 А, TO-220F — Даташит
![]()
Наименование модели: FCPF380N60E
38 предложений от 17 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | |||
| FCPF380N60E_F152 ON Semiconductor | 31 ₽ | ||
| FCPF380N60E ON Semiconductor | 64 ₽ | ||
| FCPF380N60E ON Semiconductor | от 245 ₽ | ||
| FCPF380N60E_F152 ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 10.2 А, TO-220F
Краткое содержание документа:
FCP380N60E / FCPF380N60E N-Channel MOSFET
March 2012
FCP380N60E / FCPF380N60E
600V N-Channel MOSFET
Features
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 10.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.32 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220F
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 31 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)






