Datasheet FDMC86160 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 8PQFN — Даташит
Наименование модели: FDMC86160
![]() 41 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, Shielded Gate, N Канал, 100 В, 43 А, 0.0112 Ом, PQFN, Surface Mount | |||
FDMC86160 ON Semiconductor | от 190 ₽ | ||
FDMC86160 ON Semiconductor | от 192 ₽ | ||
FDMC86160 ON Semiconductor | 206 ₽ | ||
FDMC86160 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 8PQFN
Краткое содержание документа:
FDMC86160 N-Channel Power Trench® MOSFET
June 2012
FDMC86160
N-Channel Power Trench® MOSFET
100 V, 43 A, 14 m
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 43 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0112 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.9 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: Power 33
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 54 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)