Источники питания KEEN SIDE

Datasheet IRF7820PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 3.7 А, SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7820PBF

Наименование модели: IRF7820PBF

15 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8Pin SOIC Tube
727GS
Весь мир
IRF7820PBF
Infineon
от 118 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IRF7820PBF
Infineon
по запросу
IRF7820PBF
Seeed Studio
по запросу
Augswan
Весь мир
IRF7820PBF
Infineon
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 3.7 А, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IRF7820PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low RDS(on) at 10V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating
VDSS
RDS(on) max

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 3.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0625 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRF7820PBF - International Rectifier MOSFET, N-CH, 200 V, 3.7 A, SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка