Datasheet IRF7820TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 3.7 А, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7820TRPBF
![]() 36 предложений от 19 поставщиков Транзисторы разные.Вес брутто: 0.24Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*48*45/4000 | |||
IRF7820TRPBF Infineon | 34 ₽ | ||
IRF7820TRPBF International Rectifier | 37 ₽ | ||
IRF7820TRPBF Infineon | от 84 ₽ | ||
IRF7820TRPBF Infineon | 124 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 3.7 А, SO-8
Краткое содержание документа:
IRF7820PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low RDS(on) at 10V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.
Gate Rating
VDSS
RDS(on) max
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 3.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 0.0625 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)