Datasheet IRFH7110TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, PQFN — Даташит
Наименование модели: IRFH7110TR2PBF
![]() 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6 / N-Channel 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) | |||
IRFH7110TR2PBF Infineon | 87 ₽ | ||
IRFH7110TR2PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRFH7110TR2PBF | по запросу | ||
IRFH7110TR2PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, PQFN
Краткое содержание документа:
PD -97789
IRFH7110PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS Vgs max RDS(on) max
(@VGS = 10V)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 58 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0106 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 5
- Корпус транзистора: PQFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 104 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)