LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet IRFH7110TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, PQFN — Даташит

International Rectifier IRFH7110TR2PBF

Наименование модели: IRFH7110TR2PBF

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
ЧипСити
Россия
IRFH7110TR2PBF
Infineon
98 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRFH7110TR2PBF
Infineon
105 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IRFH7110TR2PBF
Infineon
по запросу
Utmel
Весь мир
IRFH7110TR2PBF
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, PQFN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -97789
IRFH7110PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS Vgs max RDS(on) max
(@VGS = 10V)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 58 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0106 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 5
  • Корпус транзистора: PQFN
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRFH7110TR2PBF - International Rectifier MOSFET, N-CH, 100 V, 58 A, PQFN

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России