Datasheet IRFR4510PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 63 А, D-PAK — Даташит
Наименование модели: IRFR4510PBF
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, DPAK/MOSFET, 100V, 63A, 13.9MOHM, 54NC QG | |||
IRFR4510PBF Infineon | 52 ₽ | ||
IRFR4510PBF Infineon | 54 ₽ | ||
IRFR4510PBF Texas Instruments | по запросу | ||
IRFR4510PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 63 А, D-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 97784
IRFR4510PbF IRFU4510PbF
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D G S
HEXFET® Power MOSFET VDSS 100V 11.1m RDS(on) typ.
max. 13.9m ID (Silicon Limited) 63A ID (Package Limited) 56A
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 56 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0111 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252AA
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 143 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)