Datasheet PMDPB28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118 — Даташит
Наименование модели: PMDPB28UN
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6Pin DFN EP T/R | |||
PMDPB28UN,115 NXP | 17 ₽ | ||
PMDPB28UN NXP | 17 ₽ | ||
PMDPB28UN,115 NXP | по запросу | ||
PMDPB28UN,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118
Краткое содержание документа:
PMDPB28UN
20 V, dual N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 26 April 2012 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 5.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 510 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)