Datasheet PMZB290UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PMZB290UN
![]() 12 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3 | |||
PMZB290UN NXP | от 3.91 ₽ | ||
PMZB290UN,315 NXP | 19 ₽ | ||
PMZB290UN NXP | по запросу | ||
PMZB290UN NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PMZB290UN
83B
20 V, single N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 11 May 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 360 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)