Datasheet PMZB420UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PMZB420UN
![]() 15 предложений от 14 поставщиков Compliant No SVHC 420 mΩ 3 700 mV 360 mW 150 °C 900 mA | |||
PMZB420UN NXP | 6.38 ₽ | ||
PMZB420UN NXP | 23 ₽ | ||
PMZB420UN315 NXP | по запросу | ||
PMZB420UN NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PMZB420UN
83B
30 V, single N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 11 May 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 900 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.42 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 360 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)