Datasheet PSMN013-100YSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, LFPAK56 — Даташит
Наименование модели: PSMN013-100YSE
![]() 10 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 100V 82A 5Pin(4+Tab) LFPAK | |||
PSMN013-100YSE NXP | 58 ₽ | ||
PSMN013-100YSE.115 NXP | от 86 ₽ | ||
PSMN013-100YSE.115 NXP | от 86 ₽ | ||
PSMN013-100YSE NXP | 99 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 58 А, LFPAK56
Краткое содержание документа:
PSMN013-100YSE
18 December 2012
N-channel 100 V 13 m standard level MOSFET in LFPAK56
Product data sheet
1.
General description
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 58 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.011 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-669
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 238 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN013100YSE, PSMN013 100YSE