Datasheet PSMN1R5-30BLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN1R5-30BLE
Купить PSMN1R5-30BLE на РадиоЛоцман.Цены — от 115 до 9 503 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков NXP PSMN1R5-30BLE MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 30V, 0.0013Ω, 10V, 1.7V | |||
| PSMN1R5-30BLE118 NXP | 115 ₽ | ||
| PSMN1R5-30BLE118 NXP | 121 ₽ | ||
| PSMN1R5-30BLE NXP | 203 ₽ | ||
| PSMN1R530BLE118 | 9 503 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PSMN1R5-30BLE
12 October 2012
N-channel 30 V 1.5 m logic level MOSFET in D2PAK
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0013 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 401 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN1R530BLE, PSMN1R5 30BLE
