Datasheet PSMN2R0-30YLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: PSMN2R0-30YLE
![]() 36 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
PSMN2R0-30YLE/S50X NXP | 96 ₽ | ||
PSMN2R0-30YLE NXP | 104 ₽ | ||
PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia | от 142 ₽ | ||
PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia | 144 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
PSMN2R0-30YLE
12 October 2012
N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1700µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 5
- Корпус транзистора: SOT-669
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 272 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN2R030YLE, PSMN2R0 30YLE