Datasheet PSMN3R4-30BLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN3R4-30BLE
![]() 24 предложений от 13 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
PSMN3R4-30BLE NXP | 115 ₽ | ||
PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia | 176 ₽ | ||
PSMN3R4-30BLE NXP | 183 ₽ | ||
PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia | от 185 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
PSMN3R4-30BLE
12 October 2012
N-channel 30 V 3.4 m logic level MOSFET in D2PAK
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 2950µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 178 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN3R430BLE, PSMN3R4 30BLE