Datasheet PSMN4R8-100BSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить PSMN4R8-100BSE на РадиоЛоцман.Цены — от 97 до 10 685 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 100V, 0.0041Ω, 10V, 3V
ЧипСити Россия	PSMN4R8-100BSE NXP	300 ₽	Купить
Элитан Россия	PSMN4R8-100BSE,118 NXP	370 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PSMN4R8-100BSE,118 Nexperia	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PSMN4R8-100BSE Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN4R8-100BSE
4 October 2012
N-channel 100 V 4.8 m standard level MOSFET in D2PAK
Objective data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.0041 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 405 Вт
• RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN4R8100BSE, PSMN4R8 100BSE