Datasheet PSMN7R6-100BSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 75 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN7R6-100BSE
![]() 12 предложений от 9 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
PSMN7R6-100BSE NXP | 129 ₽ | ||
PSMN7R6-100BSE NXP | 170 ₽ | ||
PSMN7R6-100BSE NXP | от 1 008 ₽ | ||
PSMN7R6-100BSE Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 75 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
PSMN7R6-100BSE
18 December 2012
N-channel 100 V 7.6 m standard level MOSFET in D2PAK
Product data sheet
1.
General description
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 75 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0065 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 296 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN7R6100BSE, PSMN7R6 100BSE