Datasheet 1MBI1200U4C-170 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, одиночный, 1200A/1700V — Даташит

Купить 1MBI1200U4C-170 на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 1MBI1200U4C-170 IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 1.6kA, 2.43V, 7.35kW, 1.7kV, Module
Кремний Россия и страны СНГ	1MBI1200U4C-170	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	1SD536F2-1MBI1200U4C-170 Power Integrations	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	1MBI1200U4C-170 Fuji	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	1MBI1200U4C-170 Fuji Electric	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, MODULE, одиночный, 1200A/1700V

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.43 В
• DC Collector Current: 1.6 кА
• Количество выводов: 7
• Корпус транзистора: Module
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -
• Рассеиваемая мощность: 7.35 кВт
• RoHS: нет

Варианты написания:

1MBI1200U4C170, 1MBI1200U4C 170