Datasheet 1MBI1600U4C-170 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, одиночный, 1600A/1700V — Даташит
Наименование модели: 1MBI1600U4C-170
6 предложений от 6 поставщиков Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 1MBI1600U4C-170 IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 2.4kA, 2.47V, 9.76kW, 1.7kV, Module | |||
1MBI1600U4C-170 Fuji | 70 668 ₽ | ||
1MBI1600U4C-170 Fujitsu | по запросу | ||
1MBI1600U4C-170 | по запросу | ||
1MBI1600U4C-170 Fuji | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, MODULE, одиночный, 1600A/1700V
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.47 В
- DC Collector Current: 2.4 кА
- Количество выводов: 7
- Корпус транзистора: Module
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -
- Рассеиваемая мощность: 9.76 кВт
- RoHS: нет
Варианты написания:
1MBI1600U4C170, 1MBI1600U4C 170