Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet 1MBI1600U4C-170 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, одиночный, 1600A/1700V — Даташит

Fuji Electric 1MBI1600U4C-170

Наименование модели: 1MBI1600U4C-170

6 предложений от 6 поставщиков
Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 1MBI1600U4C-170 IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 2.4kA, 2.47V, 9.76kW, 1.7kV, Module
ChipWorker
Весь мир
1MBI1600U4C-170
Fuji
70 668 ₽
Augswan
Весь мир
1MBI1600U4C-170
Fujitsu
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
1MBI1600U4C-170
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
1MBI1600U4C-170
Fuji
по запросу

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, MODULE, одиночный, 1600A/1700V

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.47 В
  • DC Collector Current: 2.4 кА
  • Количество выводов: 7
  • Корпус транзистора: Module
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -
  • Рассеиваемая мощность: 9.76 кВт
  • RoHS: нет

Варианты написания:

1MBI1600U4C170, 1MBI1600U4C 170

На английском языке: Datasheet 1MBI1600U4C-170 - Fuji Electric IGBT, MODULE, SINGLE, 1600A/1700V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка