Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet 2MBI1200U4G-170 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, сдвоенный, 1200A/1700V — Даташит

Fuji Electric 2MBI1200U4G-170

Наименование модели: 2MBI1200U4G-170

9 предложений от 9 поставщиков
Power Management Modules 2SB315B IGBT Driver HVIC
AliExpress
Весь мир
Оригинальный модуль бтиз 2MBI1200U4G-120 2MBI1200U4G-170 2MBI800U4G-170 2MBI800U4G-120, бесплатная доставка
12 537 ₽
ЧипСити
Россия
2SB315B-2MBI1200U4G-170
Power Integrations
36 454 ₽
ChipWorker
Весь мир
2SB315B-2MBI1200U4G-170
Power Integrations
38 781 ₽
2MBI1200U4G-170
Fuji Electric
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, MODULE, сдвоенный, 1200A/1700V

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.57 В
  • DC Collector Current: 1.6 кА
  • Количество выводов: 10
  • Корпус транзистора: Module
  • Полярность транзистора: Dual N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -
  • Рассеиваемая мощность: 6.25 кВт
  • RoHS: нет

Варианты написания:

2MBI1200U4G170, 2MBI1200U4G 170

На английском языке: Datasheet 2MBI1200U4G-170 - Fuji Electric IGBT, MODULE, DUAL, 1200A/1700V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России