Datasheet 2MBI600U4G-120 - Fuji Electric Даташит IGBT, MODULE, сдвоенный, 600A/1200V — Даташит
Наименование модели: 2MBI600U4G-120
Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI600U4G-120 IGBT Array & Module Transistor, Dual Pack, Dual N Channel, 800A, 2.08V, 3.67kW, 1.2kV, Module | |||
2MBI600U4G-120 Fuji | 70 786 ₽ | ||
2MBI600U4G-120 Fuji | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, MODULE, сдвоенный, 600A/1200V
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.08 В
- DC Collector Current: 800 А
- Количество выводов: 10
- Корпус транзистора: Module
- Полярность транзистора: Dual N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -
- Рассеиваемая мощность: 3.67 кВт
- RoHS: нет
Варианты написания:
2MBI600U4G120, 2MBI600U4G 120