Datasheet PDTA114TMB - NXP Даташит TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PDTA114TMB
![]() 16 предложений от 11 поставщиков TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3. Transistors -... | |||
PDTA114TMB,315 Nexperia | 2.38 ₽ | ||
PDTA114TMB,315 NXP | 4.63 ₽ | ||
PDTA114TMB,315 NXP | 5.80 ₽ | ||
PDTA114TMB,315 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PDTA114TMB
83B
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k, R2 = open
Rev.
1 -- 26 June 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 30
- Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)