Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PDTA115EMB - NXP Даташит TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит

NXP PDTA115EMB

Наименование модели: PDTA115EMB

8 предложений от 8 поставщиков
Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL
ChipWorker
Весь мир
PDTA115EMB,315
NXP
5.32 ₽
AiPCBA
Весь мир
PDTA115EMB,315
NXP
5.32 ₽
Acme Chip
Весь мир
PDTA115EMB
Nexperia
по запросу
PDTA115EMB,315
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTA115EMB
83B
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 k, R2 = 100 k
Rev.

1 -- 1 June 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
  • DC Collector Current: -20 мА
  • DC Current Gain: 80
  • Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883B
  • Полярность транзистора: PNP
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PDTA115EMB - NXP TRANS, PNP W/RES, 50 V, SOT883B

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России