Datasheet PDTA123EMB - NXP Даташит TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит

Купить PDTA123EMB на РадиоЛоцман.Цены — от 0.65 до 6.14 ₽ 12 предложений от 8 поставщиков TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3. Transistors -...
Рутоника Россия и страны СНГ	PDTA123EMB,315 Nexperia	3.00 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PDTA123EMB,315 NXP	4.95 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	PDTA123EMB,315 Nexperia	5.70 ₽	Купить
Элитан Россия	PDTA123EMB NXP	6.14 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTA123EMB
83B
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev.

2 -- 4 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
• DC Collector Current: -100 мА
• DC Current Gain: 30
• Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: SOT-883B
• Полярность транзистора: PNP
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)