Datasheet PDTA123JMB - NXP Даташит TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PDTA123JMB
![]() 11 предложений от 7 поставщиков Транзисторы - Биполярные Одиночные | |||
PDTA123JMB,315 Nexperia | от 0.67 ₽ | ||
PDTA123JMB NXP | 6.14 ₽ | ||
PDTA123JMB.315 | 209 ₽ | ||
PDTA123JMB,315 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PDTA123JMB
83B
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
Rev.
1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 100
- Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)