Datasheet PDTC114TMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PDTC114TMB
![]() 18 предложений от 12 поставщиков Транзисторы - Биполярные Одиночные | |||
PDTC114TMB,315 Nexperia | от 2.46 ₽ | ||
PDTC114TMB,315 Nexperia | 5.67 ₽ | ||
PDTC114TMB315 | 209 ₽ | ||
PDTC114TMB315 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PDTC114TMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k, R2 = open
Rev.
1 -- 21 June 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 200
- Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)