Datasheet PDTC115EMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PDTC115EMB
![]() 12 предложений от 8 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, DFN NPN 50V 20mA | |||
PDTC115EMB,315 NXP | 1.63 ₽ | ||
PDTC115EMB,315 NXP | 5.12 ₽ | ||
PDTC115EMB,315 NXP | 5.67 ₽ | ||
PDTC115EMB NXP | 6.14 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PDTC115EMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k, R2 = 100 k
Rev.
1 -- 1 June 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- DC Collector Current: 20 мА
- DC Current Gain: 80
- Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)