Datasheet PDTC115TMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PDTC115TMB
![]() 15 предложений от 11 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3. Transistors -... | |||
PDTC115TMB315 NXP | 1.62 ₽ | ||
PDTC115TMB315 Rochester Electronics | 1.62 ₽ | ||
PDTC115TMB,315 Nexperia | 3.08 ₽ | ||
PDTC115TMB NXP | 6.14 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PDTC115TMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k, R2 = open
Rev.
1 -- 21 June 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 100
- Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)