Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet PDTC115TMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит

NXP PDTC115TMB

Наименование модели: PDTC115TMB

15 предложений от 11 поставщиков
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3. Transistors -...
AiPCBA
Весь мир
PDTC115TMB315
NXP
1.62 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
PDTC115TMB315
Rochester Electronics
1.62 ₽
Рутоника
Россия и страны СНГ
PDTC115TMB,315
Nexperia
3.08 ₽
Элитан
Россия
PDTC115TMB
NXP
6.14 ₽
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC115TMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k, R2 = open
Rev.

1 -- 21 June 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 100
  • Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883B
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PDTC115TMB - NXP TRANS, NPN W/RES, 50 V, SOT883B

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка