» Datasheets » Биполярные транзисторы

Datasheet PDTC115TMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

Наименование модели: PDTC115TMB

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC115TMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k, R2 = open
Rev. 1 -- 21 June 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 100
• Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: SOT-883B
• Полярность транзистора: NPN
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PDTC115TMB - NXP TRANS, NPN W/RES, 50 V, SOT883B

Рекомендуемые материалы по теме:

• Datasheet PDTA115TMB - NXP Даташит TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B
• Datasheet PDTC115EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416
• Datasheet PDTC115TE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416
• Datasheet PDTC115EMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B
• Datasheet PDTC115ET - NXP Даташит Транзистор, цифровой, SOT-23

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.