Datasheet PDTC123EMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PDTC123EMB
![]() 20 предложений от 12 поставщиков Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 2.2 кОм | |||
PDTC123EMB NXP | 6.14 ₽ | ||
PDTC123EMB,315 Nexperia | от 13 ₽ | ||
PDTC123EMB.315 | 251 ₽ | ||
PDTC123EMB NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PDTC123EMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev.
1 -- 3 April 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 30
- Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)