Datasheet PDTC123EMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит

Купить PDTC123EMB на РадиоЛоцман.Цены — от 0.67 до 81 ₽ 22 предложений от 14 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3. Transistors -...
Lixinc Electronics Весь мир	PDTC123EMB Rochester Electronics	1.62 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	PDTC123EMB,315 Nexperia	5.70 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	PDTC123EMB,315 Nexperia	от 12 ₽	Купить
Augswan Весь мир	PDTC123EMB,315 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC123EMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev.

1 -- 3 April 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 30
• Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: SOT-883B
• Полярность транзистора: NPN
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)