Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet ON Semiconductor STK5Q4U352J-E — Даташит

ПроизводительON Semiconductor
МодельSTK5Q4U352J-E

Интеллектуальные силовые модули (intelligent power module – IPM) STK5Q4U352J-E и STK5Q4U362J-E, рассчитанные на рабочие напряжения до 600 В, одной из особенностей которых является внутренняя бутстерпная схема для управления затвором верхнего плеча.

Datasheets

Datasheet
PDF, 406 Кб

Цены

19 предложений от 12 поставщиков
3-Phase Motor Driver 0V to 400V 24Pin DIP Tube
EIS Components
Весь мир
STK5Q4U352J-E
ON Semiconductor
571 ₽
ЧипСити
Россия
STK5Q4U352J-E
ON Semiconductor
737 ₽
ChipWorker
Весь мир
STK5Q4U352J-E
ON Semiconductor
795 ₽
ЭИК
Россия
STK5Q4U352J-E
ON Semiconductor
от 2 111 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Предлагаемые в компактных корпусах DIP, эти модули содержат всю функциональность, необходимую для создания драйверов высоковольтных 3-фазных двигателей. Приборы могут использоваться, например, в системах кондиционирования воздуха, в стиральных и посудомоечных машинах, а также в холодильниках. В конструкции выходных каскадов IPM использована новейшая технология IGBT/FRD, улучшающая характеристики модулей. В частности, наличие внутренней бутстрепной схемы позволяет создавать высокоэффективные устройства с единственным источником питания. Все управляющие входы и статусные выходы этих модулей имеют низкие логические уровни и могут напрямую подключаться к стандартным микроконтроллерам. Модули содержат также цепи защиты от перенапряжения и входы отключения. Пиковый выходной ток равен 16 А для STK5Q4U352J-E и 20 А для STK5Q4U362J-E.

Варианты написания:

STK5Q4U352JE, STK5Q4U352J E

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor STK5Q4U352J-E

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России