Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet NXP PDTD114ETVL

ПроизводительNXP
СерияPDTD1xxxT
МодельPDTD114ETVL

500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors

Datasheets

  • Скачать » Datasheet, PDF, 1.6 Мб
    Выписка из документа ↓
    SO T2 3 PDTD1xxxT series
    500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors
    Rev. 1 -- 15 May 2014 Product data sheet 1. Product profile
    1.1 General description
    NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
    Table 1. Product overview Package NXP PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET SOT23 JEITA JEDEC PNP complement Package configuration small Type number TO-236AB PDTB143ET PDTB143XT PDTB114ET 1.2 Features 500 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit design Reduces component count 10 % resistor ratio tolerance AEC-Q101 qualified High temperature applications up to 175 °C 1.3 Applications IC inputs control Cost-saving alternative to BC807 or BC817 series transistors in digital applications Switching loads NXP Semiconductors PDTD1xxxT series
    500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors 1.4 Quick reference data
    Table 2. Symbol VCEO IO R1 Quick reference data Parameter collector-emitter voltage output current bias resistor 1 (input) PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET R2 bias resistor 2 (base-emitter) PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET 4.7 10 10 k k k 4.7 4.7 10 k k k Conditions open base Min Typ Max 50 500 Unit V mA 2. Pinning information
    Table 3. Pin 1 2 3 Pinning Description input (base) GND (emitter) output (collector)
    1 1
    R2 R1 Simplified outline Graphic symbol
    3 2
    sym007 3. Ordering information
    Table 4. Ordering information Package Name PDTD1xxxT series TO-236AB Description plastic surface-mounted package; 3 leads Version SOT23 Type number PDTD1XXXT_SER All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved. Product data sheet Rev. 1 -- 15 May 2014 2 of 18 NXP Semiconductors PDTD1xxxT series
    500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors 4. Marking
    Table 5. Marking codes Marking code[1] *4Z *5Z *10 Type number PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET
    [1] * = placeholder for manufacturing site code 5. Limiting values
    Table 6. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol VCBO VCEO VEBO Parameter collector-base voltage collector-emitter voltage emitter-base voltage PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET VI input voltage PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET IO Ptot Tj Tamb Tstg
    [1] [2] Conditions open emitter open base open collector Min 10 7 10 - Max 50 50 10 7 10 +30 +30 +50 500 320 460 175 +175 +175 Unit V V V V V V V V mA mW mW C C C output current total power dissipation junction temperature ambient temperature storage temperature Tamb 25 C
    [1] [2] 55 55 Device mounted on an FR4 Prin ...

Цены

Выписка из документа:
SO T2 3 PDTD1xxxT series
500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors
Rev. 1 -- 15 May 2014 Product data sheet 1. Product profile
1.1 General description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Table 1. Product overview Package NXP PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET SOT23 JEITA JEDEC PNP complement Package configuration small Type number TO-236AB PDTB143ET PDTB143XT PDTB114ET 1.2 Features 500 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit design Reduces component count 10 % resistor ratio tolerance AEC-Q101 qualified High temperature applications up to 175 °C 1.3 Applications IC inputs control Cost-saving alternative to BC807 or BC817 series transistors in digital applications Switching loads NXP Semiconductors PDTD1xxxT series
500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors 1.4 Quick reference data
Table 2. Symbol VCEO IO R1 Quick reference data Parameter collector-emitter voltage output current bias resistor 1 (input) PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET R2 bias resistor 2 (base-emitter) PDTD143ET PDTD143XT PDTD114ET 4.7 10 10 k k k 4.7 4.7 10 k k k Conditions open base Min Typ Max 50 500 Unit V mA 2. Pinning information
Table 3. Pin 1 2 3 Pinning Description input (base) GND (...

Модельный ряд

Серия: PDTD1xxxT (9)

Классификация производителя

  • Bipolar transistors > Resistor-equipped transistors (RETs) > RET 500 mA, 50 V > RET 500 mA, 50 V single NPN > PDTD1xxxxT series

На английском языке: Datasheet NXP PDTD114ETVL

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
2 канала, 70 МГц, память 20 Мб, частота дискретизации 2,5 ГГц. Емкостной цветной сенсорный, диагональю 10.1 дюймов
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DC-DC повышающий регулируемый преобразователь питания на MT3608
DC-DC регулируемый преобразователь питания
на MT3608
Входное напряжение: 2В-24В
Выходное напряжение: 4В-28В
Входной ток: 2А
Цена: от 22 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru