Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet Power Integrations LQA10N150C

ПроизводительPower Integrations
СерияLQA10T150C, LQA10N150C
МодельLQA10N150C

Qspeed Family 150 V, 10 A Common-Cathode Diode

Datasheets

  • Скачать » Datasheet, PDF, 612 Кб
    Выписка из документа ↓
    LQA10T150C, LQA10N150C QspeedTM Family
    150 V, 10 A Common-Cathode Diode Product Summary
    IF(AVG) per diode VRRM QRR (Typ at 125 °C) IRRM (Typ at 125 °C) Softness tb/ta (Typ at 125 °C) 5 150 21.4 1.41 0.59 A V nC A General Description
    This device has the lowest QRR of any 150 V Silicon diode. Its recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers. Applications AC/DC and DC/DC output rectification Output and freewheeling diodes Motor drive circuits DC-AC inverters Pin Assignment Features Low QRR, Low IRRM, Low tRR High dIF/dt capable Soft recovery TO-220AB
    LQA10T150C TO-252 DPAK
    A1 A2
    LQA10N150C Benefits Increases efficiency Eliminates need for snubber circuits Reduces EMI filter component size and count Enables extremely fast switching K RoHS Compliant
    Package uses Lead-free plating and "Green" mold compound Halogen free per IEC 61249-2-21. Absolute Maximum Ratings
    Absolute maximum ratings are the values beyond which the device may be damaged or have its useful life impaired. Functional operation under these conditions is not implied. Symbol
    VRRM IF(AVG) IFSM IFSM TJ TSTG PD Parameter
    Peak repetitive reverse voltage Average forward current Non-repetitive peak surge current Non-repetitive peak surge current Operating junction temperature range Storage temperature Lead soldering temperature Power dissipation Conditions
    TJ = 25 °C Per Diode, TJ = 150 °C, TC = 130 °C Per Device, TJ = 150 °C, TC = 130 °C Per Diode, 60 Hz, Ѕ cycle Per Diode, Ѕ cycle of t = 28 µs Sinusoid, TC = 25 °C Rating
    150 5 10 60 350 ­55 to 150 ­55 to 150 300 27.7 Units
    V A A A A °C °C °C W Leads at 1.6mm from case, 10 sec TC = 25 °C Thermal Resistance
    Symbol
    RJA RJC Resistance from:
    Junction to ambient Junction to case Conditions
    TO-220AB (only) Per Diode Per Device Rating
    62 4.5 2.3 Units
    °C/W °C/W °C/W www.power.com January 2015 LQA10T150C, LQA10N150C Electrical Specifications at TJ = 25 °C (unless otherwise specified)
    Symbol
    IR VF CJ Parameter
    Reverse current per diode Forward voltage per diode Junction capacitance per diode Reverse recovery time, per diode Reverse recovery charge, per diode Maximum reverse recovery current, per diode Conditions ...

Цены

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанPower Integrations38,90 руб.
    Подробнее об условиях поставки »

Выписка из документа:
LQA10T150C, LQA10N150C QspeedTM Family
150 V, 10 A Common-Cathode Diode Product Summary
IF(AVG) per diode VRRM QRR (Typ at 125 °C) IRRM (Typ at 125 °C) Softness tb/ta (Typ at 125 °C) 5 150 21.4 1.41 0.59 A V nC A General Description
This device has the lowest QRR of any 150 V Silicon diode. Its recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers. Applications AC/DC and DC/DC output rectification Output and freewheeling diodes Motor drive circuits DC-AC inverters Pin Assignment Features...

Модельный ряд

Серия: LQA10T150C, LQA10N150C (2)

Классификация производителя

  • Qspeed Q-Series Diodes

На английском языке: Datasheet Power Integrations LQA10N150C

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
2 канала, 70 МГц, память 20 Мб, частота дискретизации 2,5 ГГц. Емкостной цветной сенсорный, диагональю 10.1 дюймов
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DC-DC повышающий регулируемый преобразователь питания на MT3608
DC-DC регулируемый преобразователь питания
на MT3608
Входное напряжение: 2В-24В
Выходное напряжение: 4В-28В
Входной ток: 2А
Цена: от 22 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru