Datasheet Texas Instruments LF353MX/NOPB — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | LF353-N |
| Модель | LF353MX/NOPB |
Широкополосный операционный усилитель с двумя входами JFET, 8-SOIC, от 0 до 70
Datasheets
LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier datasheet
PDF, 1.0 Мб, Версия: F, Файл опубликован: 25 мар 2013
Выписка из документа
Цены
 Купить LF353MX/NOPB на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 124 ₽39 предложений от 20 поставщиков Микросхема Операционный усилитель, TEXAS INSTRUMENTS LF353MX/NOPB Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 4MHz, 13V/µs, 10V to 36V, SOIC, 8Pins | |||
| LF353MX/NOPB Texas Instruments | 48 ₽ | ||
| LF353MX/NOPB National Semiconductor | по запросу | ||
| LF353MX/NOPB Texas Instruments | по запросу | ||
| LF353MX/NOPB Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | D | D |
| Industry STD Term | SOIC | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
| Package QTY | 2500 | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R | LARGE T&R |
| Маркировка | LF353 | M |
| Width (мм) | 3.91 | 3.91 |
| Length (мм) | 4.9 | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1.58 | 1.58 |
| Pitch (мм) | 1.27 | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.75 | 1.75 |
| Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
| Additional Features | N/A |
| Архитектура | FET |
| CMRR(Min) | 70 дБ |
| CMRR(Typ) | 100 дБ |
| GBW(Typ) | 4 МГц |
| Input Bias Current(Max) | 200 pA |
| Iq per channel(Max) | 3.25 мА |
| Iq per channel(Typ) | 1.8 мА |
| Количество каналов | 2 |
| Offset Drift(Typ) | 10 uV/C |
| Рабочий диапазон температур | от 0 до 70 C |
| Output Current(Typ) | 20 мА |
| Package Group | SOIC |
| Package Size: mm2:W x L | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) PKG |
| Rail-to-Rail | In to V+ |
| Rating | Catalog |
| Slew Rate(Typ) | 13 V/us |
| Total Supply Voltage(Max) | 36 +5V=5, +/-5V=10 |
| Total Supply Voltage(Min) | 10 +5V=5, +/-5V=10 |
| Vn at 1kHz(Typ) | 16 нВ/rtГц |
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max) | 10 мВ |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Application Notes
- AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and SwitchesPDF, 80 Кб, Файл опубликован: 2 май 2004
Application Note 447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches - AN-256 Circuitry for Inexpensive Relative Humidity Measurement (Rev. B)PDF, 262 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2013
Of all common environmental parameters humidity is perhaps the least understood and most difficult tomeasure. The most common electronic humidity detection methods albeit highly accurate are not obviousand tend to be expensive and complex (See Box). Accurate humidity measurement is vital to a number ofdiverse areas including food processing paper and lumber production pollution monitor - AN-263 Sine Wave Generation Techniques (Rev. C)PDF, 747 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 22 апр 2013
This application note describes the sine wave generation techniques to control frequency amplitude anddistortion levels. - AN-262 Applying Dual and Quad FET Op Amps (Rev. B)PDF, 1.1 Мб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2013
The availability of dual and quad packaged FET op amps offers the designer all the traditional capabilitiesof FET op amps including low bias current and speed and some additional advantages. The cost-peramplifieris lower because of reduced package costs. This means that more amplifiers are available toimplement a function at a given cost making design easier. At the same time the availab - Get More Power Out of Dual or Quad Op-AmpsPDF, 91 Кб, Файл опубликован: 2 окт 2002
Модельный ряд
Серия: LF353-N (5)
- LF353M LF353M/NOPB LF353MX LF353MX/NOPB LF353N/NOPB
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Operational Amplifiers (Op Amps) > General-Purpose Op Amps
