Datasheet Texas Instruments CSD25213W10 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD25213W10 |
| Модель | CSD25213W10 |
P-Channel NexFET™ Power MOSFET 4-DSBGA от -55 до 150
Datasheets
P-Channel NexFETв„ў Power MOSFET, CSD25213W10 datasheet
PDF, 686 Кб, Файл опубликован: 19 июн 2013
Выписка из документа
 Купить CSD25213W10 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.54 до 38 ₽31 предложений от 12 поставщиков MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA. P-Channel 20V 1.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1). Transistors - FETs, MOSFETs - Single... | |||
| CSD25213W10 Texas Instruments | от 9.10 ₽ | ||
| CSD25213W10 Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD25213W10 Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD25213W10 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 4 |
| Package Type | YZB |
| Industry STD Term | DSBGA |
| JEDEC Code | S-XBGA-N |
| Package QTY | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 213 |
| Thickness (мм) | .65 |
| Pitch (мм) | .5 |
| Max Height (мм) | .625 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| Id Max Cont | -1.6 A |
| Id Peak(Max) | -16 A |
| Корпус | WLP 1.0x1.0 мм |
| QG Typ | 2.2 nC |
| QGD Typ | 0.14 nC |
| QGS Typ | 0.74 nC |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V | 67 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 47 mOhms |
| VDS | -20 В |
| VGS | -6 В |
| VGSTH Typ | -0.85 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor
