Datasheet Texas Instruments CSD85302L — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD85302L |
| Модель | CSD85302L |
Двойной N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET, 20 В, 4-PICOSTAR от -55 до 150
Datasheets
CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 413 Кб, Файл опубликован: 19 ноя 2015
Выписка из документа
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 4 |
| Package Type | YME |
| Package QTY | 3000 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 85302 |
| Width (мм) | 1.35 |
| Length (мм) | 1.35 |
| Thickness (мм) | .2 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Dual Common Drain |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 37 A |
| Корпус | LGA 1.35x1.35 мм |
| QG Typ | 6.0 nC |
| QGD Typ | 1.4 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 20 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 24 mOhms |
| VDS | 20 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 0.90 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: CSD85302L (2)
- CSD85302L CSD85302LT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
