Datasheet Texas Instruments TPS1101DR — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | TPS1101 |
| Модель | TPS1101DR |
Одиночный P-канальный МОП-транзистор в режиме улучшения 8-SOIC
Datasheets
Single P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs datasheet
PDF, 493 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 1 авг 1995
Выписка из документа
Цены
 Купить TPS1101DR на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 318 ₽18 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, SOIC P-CH 15V 2.3A | |||
| TPS1101DR Texas Instruments | от 24 ₽ | ||
| TPS1101DR Texas Instruments | 95 ₽ | ||
| TPS1101DR Texas Instruments | по запросу | ||
| TPS1101DR | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | D |
| Industry STD Term | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 1101 |
| Width (мм) | 3.91 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1.58 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.75 |
| Mechanical Data | Скачать |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TPS1101 (6)
- TPS1101D TPS1101DG4 TPS1101DR TPS1101DRG4 TPS1101PWLE TPS1101PWR
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor
