Datasheet Texas Instruments CSD19531Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19531Q5A |
| Модель | CSD19531Q5A |
100 В, 5,3 мОм, силовой МОП-транзистор SON5x6 NexFET™ 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 737 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 19 май 2014
Выписка из документа
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD19531 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 110 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 337 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 37 nC |
| QGD Typ | 6.6 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 6.4 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.7 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: UCC24636EVM
UCC24636 Synchronous Rectifier Daughter Board/Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19531Q5A (2)
- CSD19531Q5A CSD19531Q5AT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
