Datasheet Texas Instruments TL5580IDR — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | TL5580 |
Модель | TL5580IDR |

Двойной малошумящий широкополосный прецизионный усилитель 8-SOIC от -40 до 85
Datasheets
TL5580, TL5580A datasheet
PDF, 1.1 Мб, Версия: A, Файл опубликован: 15 июл 2005
Выписка из документа
Цены
![]() 26 предложений от 16 поставщиков Микросхема Операционный усилитель, Dual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃ | |||
TL5580IDR Texas Instruments | от 35 ₽ | ||
TL5580IDR Texas Instruments | 51 ₽ | ||
TL5580IDR Texas Instruments | 81 ₽ | ||
TL5580IDR Texas Instruments | от 93 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 8 |
Package Type | D |
Industry STD Term | SOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G |
Package QTY | 2500 |
Carrier | LARGE T&R |
Маркировка | Z5580 |
Width (мм) | 3.91 |
Length (мм) | 4.9 |
Thickness (мм) | 1.58 |
Pitch (мм) | 1.27 |
Max Height (мм) | 1.75 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Additional Features | N/A |
Архитектура | Bipolar |
CMRR(Min) | 110 дБ |
CMRR(Typ) | 90 дБ |
GBW(Typ) | 12 МГц |
Input Bias Current(Max) | 500000 pA |
Iq per channel(Max) | 4.5 мА |
Iq per channel(Typ) | 3 мА |
Количество каналов | 2 |
Offset Drift(Typ) | 1.8 uV/C |
Рабочий диапазон температур | от -40 до 85 C |
Output Current(Typ) | 100 мА |
Package Group | SOIC |
Package Size: mm2:W x L | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) PKG |
Rail-to-Rail | No |
Rating | Catalog |
Slew Rate(Typ) | 5 V/us |
Total Supply Voltage(Max) | 32 +5V=5, +/-5V=10 |
Total Supply Voltage(Min) | 4 +5V=5, +/-5V=10 |
Vn at 1kHz(Typ) | 7 нВ/rtГц |
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max) | 1.5 мВ |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: TL5580 (3)
- TL5580IDR TL5580IP TL5580IPWR
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Operational Amplifiers (Op Amps) > General-Purpose Op Amps