Datasheet Texas Instruments CSD87312Q3E — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD87312Q3E |
| Модель | CSD87312Q3E |
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET 30 В 8-VSON от -55 до 150
Datasheets
Dual 30-V N-Channel NexFet Power MOSFET, CSD87312Q3E datasheet
PDF, 783 Кб, Файл опубликован: 19 ноя 2011
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD87312Q3E на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 207 ₽26 предложений от 14 поставщиков Полупроводники - Дискретные | |||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | от 20 ₽ | ||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | от 36 ₽ | ||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | 140 ₽ | ||
| CSD87312Q3E Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DPB |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | 87312E |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | .9 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Dual Common Source |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 27 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 45 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 6.3 nC |
| QGD Typ | 0.7 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 31 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 38 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 10 В |
| VGSTH Typ | 1 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD87312Q3E (2)
- CSD87312Q3E CSD87312Q3E-ASY
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
