Datasheet Texas Instruments CSD18536KCS — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18536KCS |
| Модель | CSD18536KCS |
CSD18536KCS N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 60 В 3-TO-220
Datasheets
CSD18536KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 474 Кб, Файл опубликован: 17 июл 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18536KCS на РадиоЛоцман.Цены — от 58 до 2 674 ₽36 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200А; 375Вт; TO220-3 | |||
| CSD18536KCS Texas Instruments | от 58 ₽ | ||
| CSD18536KCS Texas Instruments | 361 ₽ | ||
| CSD18536KCS Texas Instruments | от 520 ₽ | ||
| CSD18536KCS Texas Instruments | от 602 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 3 |
| Package Type | KCS |
| Industry STD Term | TO-220 |
| JEDEC Code | R-PSFM-T |
| Package QTY | 50 |
| Carrier | TUBE |
| Маркировка | CSD18536KCS |
| Width (мм) | 8.7 |
| Length (мм) | 10.16 |
| Thickness (мм) | 4.58 |
| Pitch (мм) | 2.54 |
| Max Height (мм) | 4.7 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 349 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | TO-220 мм |
| QG Typ | 83 nC |
| QGD Typ | 14 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.7 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.6 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 2.2 mOhms |
| VDS | 60 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
