Datasheet Texas Instruments CSD17559Q5T — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD17559Q5 |
| Модель | CSD17559Q5T |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 30 В 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD17559Q5 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 409 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 9 сен 2014
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD17559Q5T на РадиоЛоцман.Цены — от 122 до 501 ₽21 предложений от 10 поставщиков This 30 V, 0.95 m, 56 mm SON NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in synchronous rectification and other... | |||
| CSD17559Q5T Texas Instruments | 122 ₽ | ||
| CSD17559Q5T Texas Instruments | 140 ₽ | ||
| CSD17559Q5T Texas Instruments | 150 ₽ | ||
| CSD17559Q5T Texas Instruments | 501 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQH |
| Industry STD Term | VSON-CLIP |
| JEDEC Code | R-PSSO-N |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD17559 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Pitch (мм) | 1.27 |
| Max Height (мм) | 1.05 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 257 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 39 nC |
| QGD Typ | 9.3 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 1.15 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 1.15 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 1.5 mOhms |
| VDS | 30 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.4 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD17559Q5 (2)
- CSD17559Q5 CSD17559Q5T
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
