Datasheet Texas Instruments CSD19533Q5A — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD19533Q5A |
| Модель | CSD19533Q5A |
100 В, 7,8 мОм, SON5x6 N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSONP от -55 до 150
Datasheets
CSD19533Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 768 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 23 май 2014
Выписка из документа
 Купить CSD19533Q5A на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 525 ₽36 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 100V 100A 8SON. N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6). Transistors - FETs, MOSFETs... | |||
| CSD19533Q5A Texas Instruments | от 17 ₽ | ||
| CSD19533Q5A Texas Instruments | 110 ₽ | ||
| CSD19533Q5A Texas Instruments | от 117 ₽ | ||
| CSD19533Q5A Texas Instruments | от 131 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD19533 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 4.9 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 75 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 231 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 27 nC |
| QGD Typ | 4.9 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 9.5 mOhms |
| VDS | 100 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 2.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD19533Q5A (2)
- CSD19533Q5A CSD19533Q5AT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
