Datasheet Texas Instruments CSD16570Q5BT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16570Q5B |
| Модель | CSD16570Q5BT |
CSD16570Q5B, N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 25 В, 8-VSON-CLIP от -40 до 85
Datasheets
CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 438 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 19 май 2017
Выписка из документа
 Купить CSD16570Q5BT на РадиоЛоцман.Цены — от 49 до 253 ₽31 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON. N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6). Transistors - FETs, MOSFETs... | |||
| CSD16570Q5BT Texas Instruments | от 49 ₽ | ||
| CSD16570Q5BT Texas Instruments | 135 ₽ | ||
| CSD16570Q5BT Texas Instruments | от 221 ₽ | ||
| CSD16570Q5BT Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD16570 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 456 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 95 nC |
| QGD Typ | 31 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 0.68 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 0.59 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 0.82 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.5 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD16570Q5B (2)
- CSD16570Q5B CSD16570Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
