Datasheet Texas Instruments CSD23203WT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD23203W |
Модель | CSD23203WT |

CSD23203W Силовой МОП-транзистор NexFET™ с P-каналом, 8 В, 6-DSBGA
Datasheets
CSD23203W –8-V P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet
PDF, 378 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 2 авг 2016
Выписка из документа
Цены
![]() 30 предложений от 13 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6 | |||
CSD23203WT Texas Instruments | 16 ₽ | ||
CSD23203WT Texas Instruments | от 19 ₽ | ||
CSD23203WT Texas Instruments | 31 ₽ | ||
CSD23203WT Texas Instruments | от 2 545 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Pin | 6 |
Package Type | YZC |
Industry STD Term | DSBGA |
JEDEC Code | R-XBGA-N |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Маркировка | 23203 |
Width (мм) | 1.8 |
Length (мм) | 1.5 |
Thickness (мм) | 2 |
Pitch (мм) | .5 |
Max Height (мм) | 1 |
Mechanical Data | Скачать |
Параметры
Configuration | Single |
Id Max Cont | -3 A |
Id Peak(Max) | -54 A |
Корпус | WLP 1.0x1.5 мм |
QG Typ | 4.9 nC |
QGD Typ | 0.6 nC |
QGS Typ | 1.3 nC |
Rds(on) Max at VGS=1.8V | 53 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=2.5V | 26.5 mOhms |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 19.4 mOhms |
VDS | -8 В |
VGS | -6 В |
VGSTH Typ | -0.8 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor