Datasheet Texas Instruments CSD18532Q5BT — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD18532Q5B |
| Модель | CSD18532Q5BT |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™, 60 В, 8-VSON-CLIP
Datasheets
CSD18532Q5B 60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 904 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 18 май 2017
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD18532Q5BT на РадиоЛоцман.Цены — от 96 до 339 ₽20 предложений от 9 поставщиков This 2.5 m, 60 V SON 5 mm6 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.... | |||
| AON7254 | от 96 ₽ | ||
| CSD18532Q5BT Texas Instruments | 101 ₽ | ||
| CSD18532Q5BT Texas Instruments | от 339 ₽ | ||
| CSD18532Q5BT Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DNK |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Маркировка | CSD18532 |
| Width (мм) | 6 |
| Length (мм) | 5 |
| Thickness (мм) | .95 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 172 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
| Корпус | SON5x6 мм |
| QG Typ | 44 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 3.3 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 3.2 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 4.3 mOhms |
| VDS | 60 В |
| VGS | 20 В |
| VGSTH Typ | 1.8 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: DRV8701EVM
DRV8701 Full Bridge Brushed DC Motor Gate Driver Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Модельный ряд
Серия: CSD18532Q5B (2)
- CSD18532Q5B CSD18532Q5BT
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
